스포츠 배팅 게임,ダイオード）

【６５０V　SiC　MOSFET】 最新の第３世代セル構造を適用した６５０VのシリコンカーバイドMOSFETを２스포츠 배팅 게임をリリースしました。 第３世代シリコンカーバイドMOSFETシリーズは従来品と比較し、オン抵抗を30%低減、高温時のオン抵抗上昇を極限に抑制し、電流定格も20%増加しています。また、ドライブ電圧を15Vとし使いやすさが向上しています。 650VシリコンカーバイドMOSFETファミリーは、導通損失、スイッチング損失を最小にし、産業用の電力変換器をより高効率に、小型化、軽量化に貢献します。シリコンMOSFETに比べ、 スイッチング損失75%減、導通損失1/2、電力密度3倍の性能を有しています。 各種電源 (AC/DC, DC/DC, DC/AC)、太陽光発電,、UPS、蓄電システム、EV用充電器や補助電源などの産業機器向けアプリケーションに最適です。

【６５０V　SiC　ショット―キーダイオード】 第６世代シリコンカーバイド・ショットキーダイオードは、クラス最高の低順方向電圧（VF=1.27ｖ）を実現しています。また、第３世代から採用しているMPS(Merged PiN Schottky)構造を継承し、高いサージ電流耐量を有し、長期的信頼性が高いという特徴も有しています。４仕様の스포츠 배팅 게임をリリースいたしました。上記MOSFETと組み合わせていただくことで、さらなら高効率、小型化を実現することが可能です。