2021年2月【C스포츠 분석 픽e/WolfSpeed】C스포츠 분석 픽e（WolfSpeed)　SiCデバイス（MOSFET,ダイオード）

【６５０V　SiC　MOSFET】
最新の第３世代セル構造を適用した６５０VのシリコンカーバイドMOSFETを新たに２스포츠 분석 픽（Ron=25mmΩと45mmΩ）を
リリースしました。これにより650VSiCFETのラインナップが拡充され15mmΩ/25mmΩ/45mmΩ/60mmΩが出揃いました(下表参照）
第３世代シリコンカーバイドMOSFETシリーズは従来品と比較し、オン抵抗を30%低減、高温時のオン抵抗上昇を極限に抑制し、
電流定格も20%増加しています。また、ドライブ電圧を15Vとし使いやすさが向上しています。
650VシリコンカーバイドMOSFETファミリーは、導通損失、スイッチング損失を最小にし、産業用の電力変換器をより高効率に、
小型化、軽量化に貢献します。シリコンMOSFETに比べ、スイッチング損失75%減、導通損失1/2、電力密度3倍の性能を有しています。
各種電源 (AC/DC, DC/DC, DC/AC)、太陽光発電,、UPS、蓄電システム、EV用充電器や補助電源などの
産業機器向けアプリケーションに最適です。